Транзистор TO263 GB10NB37LZ для эбу новый в Екатеринбурге

Транзистор TO263 GB10NB37LZ для ЭБУ новый (new)
Вазы (lada) инжектор
Описание STGB10NB37LZ
Марка транзистора: STGB10NB37LZ ( )
Тип управляющего канала IGBT транзистора: N-Channel
Предельная постоянная рассеиваемая мощность (Pc) транзистора: 125W
Предельно допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce) IGBT транзистора: 425V
Коллектор-эмиттер, напряжение насыщения (Ucesat): 1. 3V
Предельное напряжение затвор-эмиттер (Ueg): 16V
Предельный ток коллектора транзистора (Ic): 20A
Предельная температура (Tj): 150 C
Время нарастания: 520 nS
Выходная емкость (Cс), Пф: 1700pF
группа вконтакте club. niptash