Тип памяти: DDR3 Форм-фактор: DIMM 240-контактный Тактовая частота: 1600 МГц Пропускная способность: 12800 Мб/с Объем: 2 модуля по 4 Гб ТаймингиCAS Latency (CL): 9 RAS to CAS Delay (tRCD): 9 Row Precharge Delay (tRP): 9 Activate to Precharge Delay (tRAS): 27Количество чипов каждого модуля: 16, двусторонняя упаковка Напряжение питания: 1. 65 В Радиатор: есть В идеальном состоянии (новая), проверялись только на работоспособность.
Комплектующие Оперативная память
Компьютерная оперативная память в Омске, частные объявления 2024 года. Абино и Авито – помогут найти выгодные предложения бесплатно.